刘云圻，物理化学家，中国科学院化学究诘所有机固体现实室究诘员，中国科学院化学部院士。刘院士的究诘职责东要蚁合在分子材料与器件的合成与假想HONOKA最新番号，在分子器件边界他总合髻展出了一系列高性能分子材料的假想理念及性能调控规范。刘院士从器件应用需求的角度动身，匠心独具地提议了一系列石墨烯助长、刻蚀和掺杂的中枢规范，今天咱们要先容的就是这位巨匠在石墨烯说念路上的一次次冲破。
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2009年，刘院士课题组的究诘东说念主员使用化学气相千里积法合成了氮掺杂石墨烯并对其电学性质进行了究诘[1]。他们发现氮掺杂不错灵验地调控石墨烯的电学性质，这极地面推进了石墨烯的究诘与应用。随后，2012年他们又欺诈吡啶分子在铜箔名义的催化脱氢自拼装，将氮掺杂石墨烯的助长温度裁汰到了300 oC，这种规范制备出的高含氮量的掺杂石墨烯具有四边形的态状特征[2]。上述两个职责成为了ESI高被引论文，其中前一职责适度现在被引次数高达一千两百余次，号称石墨烯究诘边界的经典之作。
2012年，他们欺诈融解的铜名义的细致流动性及均匀性等特色，制备了端正排布的六边形石墨烯单晶，该后果在好意思国科学院院报（PNAS）上以封面标题的步地发表[3]，并配发了碳材料边界外洋闻名巨匠Mauricio Terrones教师的专题批驳。Nanotech Insights季刊也把此职责列为石墨烯的CVD法制备中一个“权贵和翻新性的后果”。
此外，为了幸免石墨烯器件的加工经由中遭受的窜改问题，刘院士课题组又发展了一种欺诈氧提拔催化径直在绝缘基底上制备高质地石墨烯的规范，并基于石墨烯在绝缘基底上的成核性格，发展出了一种新式的两步助长法，并在绝缘基底上赢得了迁徙率高达5000 cm2·V−1·s−1的石墨烯单晶，这为石墨烯基器件的制备加工科罚了关键性的贫苦[4-6]。
总之HONOKA最新番号，诚然刘院士的大部分究诘职责齐蚁合于分子材料与器件边界，他从分子器件边界的角度，对石墨烯的助长野心提议了专有的视力，进而发表了一系列沟通石墨烯助长的中枢究诘后果（如图）。这一系列究诘后果科罚了石墨烯边界从可控助长到器件制备中存在的关键性贫苦，同期也极地面推进了石墨烯关连的基础究诘和骨子应用。